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工藝介紹（光盤資料）： 

    CZ硅單晶是一項(xiàng)系統(tǒng)工程，不僅需要對(duì)拉晶本身的設(shè)備衛(wèi)檢、冷檢、熔料、穩(wěn)定、引晶、放肩、等徑、收尾、冷卻過(guò)程工藝要全面把握，而且也離不開對(duì)硅料的分選，清洗、配料、摻雜、熱場(chǎng)、坩堝、機(jī)械設(shè)備、控制系統(tǒng)等因素的綜合把握，任何一個(gè)環(huán)節(jié)和能力的缺失，都無(wú)法保證產(chǎn)品的質(zhì)量和產(chǎn)量。

    本直拉硅單晶完整制備工藝光盤資料將系統(tǒng)地對(duì)上述各個(gè)方面進(jìn)行從原理到實(shí)際操作進(jìn)行全面的深入淺出的分析闡述，是一份不可多得的硅單晶制備工藝資料。

    同時(shí)本公司可針對(duì)用戶實(shí)際生產(chǎn)中存在的問題及新上項(xiàng)目，提供技術(shù)咨詢及整體解決方案服務(wù)。 
 
包含工藝：

■ 從概念理論到實(shí)際操作、從發(fā)現(xiàn)問題到解決方案工藝過(guò)程、從數(shù)據(jù)公式到表格配方等多方面進(jìn)行闡述分析直拉單晶工藝； 

■ 各種硅料的清洗； 

■ 各種硅料的初選及復(fù)選；

■ 拉晶過(guò)程的全面闡述；

■ 單晶硅的電阻率和摻雜計(jì)算；

■ 拉晶過(guò)程中的異常情況及其處理；

■ 硅料的檢測(cè)分選；

■ 重?fù)健⑿吞?hào)、電阻率檢測(cè)；

■ 氧碳檢測(cè)；

■ 少子壽命檢測(cè)；

■ 硅片硅棒其他檢測(cè)；

■ 高純水制備、高純氬氣純化；

■ 石墨熱場(chǎng)、石英坩堝、籽晶；

■ 切斷、滾磨和打磨定位面；

■ 直拉單晶常用數(shù)據(jù)、公式、表格；

■ 其他......



推薦光盤運(yùn)行環(huán)境：

■ CPU：P3同類檔次或更高檔次以上。 

■ 內(nèi)存： 256M以上內(nèi)存。 

■ 硬盤空間： 10G以上均可。 

■ 顯示器： VGA或更高分辨率，建議分辨率為 1024x768像素。

■ 操作系統(tǒng): Microsoft Windows 2000/XP/Vistas