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SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤
   
  我公司擁有多名日本專家、博士工程師及先進(jìn)經(jīng)營(yíng)管理團(tuán)隊(duì)，擁有專業(yè)從事碳化硅涂層以及對(duì)石墨產(chǎn)品進(jìn)行高溫純化除雜技術(shù)。公司產(chǎn)品及技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)，LED行業(yè)，航天航業(yè)，化工行業(yè)，光伏行業(yè)，包裝行業(yè)，耐腐蝕行業(yè)、冶金行業(yè)等領(lǐng)域。
  公司通過引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)的CVD法碳化硅涂層及高溫純化裝置與技術(shù)，根據(jù)客戶需要為不同形狀，不同結(jié)構(gòu)和大小的石墨件純化除雜，純化后的石墨雜質(zhì)可降至小于5PPM,并采用高溫化學(xué)氣相沉積法沉積指定厚度的碳化硅涂層。
  相比以往的工藝，CVD法生產(chǎn)的碳化硅晶體結(jié)構(gòu)致密，晶格排列整齊，與沉底材料結(jié)合更緊密等優(yōu)勢(shì)。具有耐高溫，耐磨損，耐腐蝕，易導(dǎo)熱的特點(diǎn)，憑借這些涂層，我們的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于制作流化床和熱氫化的反應(yīng)器部件，CZ直拉單晶爐的導(dǎo)流筒部件，以及硅外延和GaN外延的托盤。
 
產(chǎn)品指標(biāo)：
ü  材料：進(jìn)口等靜壓高純石墨
ü  純度：小于5ppm
ü  SIC涂層厚度：120μm±30μm(涂層厚度可根據(jù)客戶要求定制)
ü  涂層表面粗糙度：6-8μm
ü  涂層后基座電阻率：0.0004-0.00045Microhm-m
ü  高均勻度和優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性
ü  耐電漿轟擊
ü  極佳均溫性
ü  高耐腐蝕性和穩(wěn)定性
ü  理想的電阻特性
ü  使用壽命長(zhǎng)
 
應(yīng)用領(lǐng)域：
ü  LED芯片產(chǎn)業(yè)MOCVD外延片承載石墨托盤
ü  ICP蝕刻制程用之承載盤
ü  硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料外延托盤
 
合能陽光
ü  提供各種規(guī)格碳化硅涂層石墨制品：承載盤，預(yù)熱環(huán)，篩盤，頂針等相關(guān)制品
ü  可接受根據(jù)圖紙定制加工業(yè)務(wù)
ü  質(zhì)量穩(wěn)定，交貨期短
主要客戶：
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體芯片企業(yè)、LED光電企業(yè)等