拉制一定型號(hào)和電阻率的單晶硅,要選用適當(dāng)?shù)膿诫s劑 - 母合金。
拉制電阻率較高的硅單晶則采用母合金作摻雜劑。
采用“母合金”作為摻雜劑是為了使摻雜量容易控制、更準(zhǔn)確。
什么是拉單晶摻雜劑母合金?
■ 所謂“母合金”就是雜質(zhì)元素與硅的合金,常用的母合金有硅磷和硅硼兩種,雜質(zhì)濃度是10的-2次方和10的-3次方。
為什么拉單晶需要摻雜劑母合金?
■ 采用“母合金”作為摻雜劑是為了使摻雜量容易控制、更準(zhǔn)確
■ 雜的目的主要是用來(lái)改變硅熔體中施主雜質(zhì)(如磷)或受主雜質(zhì)(如硼)的雜質(zhì)濃度,使其生長(zhǎng)出的單晶電阻率達(dá)到規(guī)定的要求
■ 硅單晶N型摻雜劑:五族元素,主要有磷、砷、銻
■ 硅單晶P型摻雜劑:三族元素,主要有硼、鋁、鎵
■ 拉制電阻率低的硅單晶,一般用純?cè)刈鲹诫s劑
■ 拉制電阻率高的硅單晶則采用母合金作為摻雜劑
影響摻雜的幾個(gè)因素:
■ 雜質(zhì)的蒸發(fā);無(wú)論液體或熔體在合適的溫度下,溶劑和溶質(zhì)總是要蒸發(fā),特別是在真空下尤為顯著,因此蒸發(fā)必定影響溶質(zhì)在溶液的分布和溶液的雜質(zhì)濃度,具體的公式非常復(fù)雜,我們需要知道的是雜質(zhì)蒸發(fā)同蒸發(fā)表面積、雜質(zhì)的蒸發(fā)速度常數(shù)、蒸發(fā)的時(shí)間幾個(gè)要素有關(guān)。
■ 雜質(zhì)的分凝效應(yīng);熔體的各部分的雜質(zhì)濃度相同,若進(jìn)行極其緩慢的所謂平衡冷卻,這樣固液兩相內(nèi)部雜質(zhì)原子會(huì)通過(guò)擴(kuò)散調(diào)整它們之間的濃度,實(shí)際上熔體不可能實(shí)現(xiàn)平衡冷卻,總有一定的冷卻速度,由于固相中雜質(zhì)原子擴(kuò)散速度很小,濃度調(diào)整緩慢,先凝固的與后凝固的固相雜質(zhì)濃度不同,因此晶體中各處雜質(zhì)濃度不再均勻分布,這種由于雜質(zhì)偏析引起的分凝現(xiàn)象叫分凝效應(yīng)。不同的雜質(zhì)在熔硅中分凝系數(shù)是不同的,熔體結(jié)晶時(shí)雜質(zhì)分凝效應(yīng)使單晶中雜質(zhì)分布不勻這是它的不利方面,但另一方面可利用雜質(zhì)的分凝效應(yīng)使雜質(zhì)集中在單晶的頭部或尾部,達(dá)到提純的目的。
■ 拉制單晶過(guò)程中硼的滲入;由于石英坩堝的純度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于多晶硅的純度,在硅單晶拉制過(guò)程中石英坩堝P型雜質(zhì)(主要是硼)不斷溶入熔硅,改變?nèi)酃璧碾s質(zhì)濃度。
合能陽(yáng)光提供母合金類(lèi)型:
HSD-P3 碎塊狀
母合金P型-3次方 |
0.0010-0.0090Ω.cm以下,碎塊狀,碳含量(atom/cm3)<5e16,氧含量(atom/cm3)<1e18,具體每段將詳細(xì)標(biāo)出,確保每段電阻率偏差在0.001或0.0005范圍內(nèi)
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HSD-P3整棒狀
母合金 P型-3次方 |
0.0010-0.0090Ω.cm以下,整棒狀,碳含量(atom/cm3)<5e16,氧含量(atom/cm3)<1e18,具體每段將詳細(xì)標(biāo)出,確保每段電阻率偏差在0.001或0.0005范圍內(nèi)
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HSD-P3 片狀
母合金 P型-3次方 |
0.0010-0.0090Ω.cm以下,片狀,碳含量(atom/cm3)<5e16,氧含量(atom/cm3)<1e18,具體每段將詳細(xì)標(biāo)出,確保每段電阻率偏差在0.001或0.0005范圍內(nèi)
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